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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立，Toshiba ### IGBT 分立件和模块，Toshiba 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。90901+￥37.627210+￥35.4683100+￥33.8645250+￥33.6178500+￥33.37101000+￥33.09352500+￥32.84675000+￥32.6925 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立，STMicroelectronics ### IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。922610+￥11.5980100+￥11.0181500+￥10.63151000+￥10.61222000+￥10.53495000+￥10.43827500+￥10.360910000+￥10.3222 -
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品类: IGBT晶体管描述: SEMIKRON SEMIX202GB12E4S IGBT Array & Module Transistor, Dual N Channel, 314A, 1.8V, 1.2kV, SEMiX 2s39121+￥677.920410+￥654.133750+￥651.1604100+￥648.1870150+￥643.4297250+￥639.2670500+￥635.10441000+￥630.3470 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 模块，Infineon **Infineon** 系列 IGBT 模块提供低切换损耗，用于高达 60 khz 频率的切换。 IGBT 跨一系列电源模块，如 ECONOPACK 封装，1200V 时带集电极开路发射器电压；PrimePACK IGBT 半桥斩波器模块，其 NTC 高达 1600/1700V。 PrimePACK IGBT 可在工业、商业、建筑和农业车辆中找到。 N 通道 TRENCHSTOP TM 和 Fieldstop IGBT 模块适用于硬切换和软切换应用，例如反相器、UPS 和工业驱动器。 封装类型包括：62mm 模块、EasyPACK、EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4 ### IGBT 分立件和模块，Infineon 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。15771+￥1242.293810+￥1231.000225+￥1225.353450+￥1219.7066100+￥1214.0599150+￥1208.4131250+￥1202.7663500+￥1197.1195 -
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品类: IGBT晶体管描述: 降压斩波NPT IGBT功率模块 Buck chopper NPT IGBT Power Module51901+￥453.393310+￥441.565650+￥432.4977100+￥429.3437200+￥426.9782500+￥423.82411000+￥421.85292000+￥419.8816 -
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品类: IGBT晶体管描述: 降压斩波NPT IGBT功率模块 Buck chopper NPT IGBT Power Module34961+￥255.930210+￥249.253850+￥244.1352100+￥242.3548200+￥241.0195500+￥239.23911000+￥238.12642000+￥237.0136 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V DIE56925+￥18.365550+￥17.5806200+￥17.1411500+￥17.03121000+￥16.92142500+￥16.79585000+￥16.71737500+￥16.6388 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立，Fuji Electric ### IGBT 分立件和模块，Fuji Electric 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。40691+￥953.537010+￥920.079650+￥915.8974100+￥911.7152150+￥905.0238250+￥899.1687500+￥893.31361000+￥886.6222 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Module N-CH 1200V 160A 640000mW 19Pin41851+￥1940.298810+￥1922.659725+￥1913.840250+￥1905.0206100+￥1896.2011150+￥1887.3816250+￥1878.5620500+￥1869.7425 -
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品类: IGBT晶体管描述: EconoDUAL ™ 2 MODUL MIT schnellem IGBT2献给hochfrequentes Schalten UND NTC EconoDUAL?2 Modul mit schnellem IGBT2 für hochfrequentes Schalten und NTC97061+￥345.764810+￥336.744850+￥329.8295100+￥327.4242200+￥325.6202500+￥323.21491000+￥321.71162000+￥320.2082 -
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品类: IGBT晶体管描述: Igbt Module 1200V 12A Hex83051+￥235.678710+￥229.530650+￥224.8170100+￥223.1775200+￥221.9479500+￥220.30841000+￥219.28372000+￥218.2590 -
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品类: IGBT晶体管描述: GTR Module Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications Motor Control Applications6565 -
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品类: IGBT晶体管描述: IHM -B模块海沟/场终止IGBT3和发射Controlled3二极管 IHM-B module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled3 diode9502 -
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品类: IGBT晶体管描述: INT-A-PAK53641+￥1124.361710+￥1114.140225+￥1109.029550+￥1103.9188100+￥1098.8080150+￥1093.6973250+￥1088.5866500+￥1083.4758 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 模块 IGBT 600V 15A34051+￥276.318610+￥269.110250+￥263.5839100+￥261.6617200+￥260.2200500+￥258.29781000+￥257.09642000+￥255.8950 -
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品类: IGBT晶体管描述: 智能功率模块FLAT- BASE型绝缘包装 INTELLIGENT POWER MODULES FLAT-BASE TYPE INSULATED PACKAGE2391 -
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品类: IGBT晶体管描述: FLAT -BASE型绝缘包装 FLAT-BASE TYPE INSULATED PACKAGE26451+￥476.553110+￥464.121350+￥454.5902100+￥451.2751200+￥448.7887500+￥445.47361000+￥443.40162000+￥441.3296 -
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品类: IGBT晶体管描述: POWEREX PM50RL1A120 IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 50A, 1.2kV, 462W, 1.2kV, Module65911+￥1873.548610+￥1856.516325+￥1848.000250+￥1839.4841100+￥1830.9680150+￥1822.4518250+￥1813.9357500+￥1805.4196
